1051學期 課程基本資料/Course Information |
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系所 / 年級 |
資工系碩 1年級 | 課號 / 班別 |
EE200147 / A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
學分數 |
3學分 | 選 / 必修 |
選修 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
科目中文名稱 |
Semiconductor Process Engineering | 科目英文名稱 |
Semiconductor Process Engineering | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
主要授課老師 |
楊紹明 | 開課期間 |
一學年之上學期 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
人數上限 |
20 人 | 已選人數 |
6 人 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
課程種類 |
一般課 | 課程類別 |
系定 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
學程 |
所定選修 | 全英授課 |
是 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
起始週 / 結束週 / 上課地點 / 上課時間 |
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第1週 / 第18週 / I532 / 星期2第5節
第1週 / 第18週 / I532 / 星期2第6節 第1週 / 第18週 / I532 / 星期2第7節
請各位同學遵守智慧財產權觀念;請勿非法影印。
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教學綱要/syllabus |
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第一部分/Part I(※依課程委員會審議之內容決議填入) |
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一、教學目標所要達成之能力培養項目: |
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二、教學目標 |
1.認知面:[使學生理解、應用、分析、綜合、比較、推論、評估本課程之理論與概念]:
To provide students with not only the maunufacturing practice associated with the technologies used in silicon chip fabrication, but also the underlying scientific basis for those technologies. 2.技能面[使學生能獲得運用與實做本課程理論與概念之技巧]: 可使同學提升專業知識與技能,提升職場競爭力 3.情意面[能引發學生對本課程之興趣,激發學生學習動機,增加觸類旁通與自主學習]: 鼓勵學生互相討論與學習,並互相分享相關專業知識資訊 |
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三、符合教學目標之課程內容設計 |
To provide the overall semiconductor device fabrication process, including the wafer production, ion implantation and etching, thermal processes (such as oxidation, thermal annealing and dopant diffusion), film deposition, device isolation, matallization of contact, and so forth. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
四、先修科目 |
Physics and Chemistry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
第二部分/Part II |
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一、多元教學方法 |
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二、多元教學方法與教育目標的連結 |
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三、參考書目 (Reference) |
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四、教學進度 |
教學進度與何種基本素養/核心能力有關?
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五、多元評量方法 |
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六、多元評量方法與教育目標的連結 |
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七、講義位址(http://) |
http://elearn.asia.edu.tw/icanxp/ |